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Toshiba代理 TPH1R403NL替代TDM3492
品牌：TOSHIBA/东芝型号：TPH1R403NL类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：CHIP/小型片状材质：N-FET硅N沟道工作电压：30V工作电流：80A最大允许功耗：1W用途：电子烟 PC外形尺寸：5x6mm加工定制：否Rds(ON)10V：1.4mΩRds(ON)5V：2.1mΩVDS：30VVGS：±20 VCiss：
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2019-09-20 |
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6512 AOS代理AON6504 AON6411 现货优势AON6424
品牌：AOS/美国万代型号：AON6424类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：CHIP/小型片状材质：N-FET硅N沟道工作电压：30VV工作电流：150A最大允许功耗：0.1W用途：电子烟、电调外形尺寸：5x6mmRDS(ON) (at VGS=10V)：1.7mΩRDS(ON) (at VGS = 4.5V)：2.4mΩVDS：30VG
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2019-08-06 |
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NIKO-SEM代理PK5M6EAPE6H6BAPKC46DYP0903BEA
品牌：NIKO-SEM型号：PKCH2BB类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：CHIP/小型片状材质：N-FET硅N沟道工作电压：30V工作电流：152A最大允许功耗：0.1W用途：电子烟 PC外形尺寸：5X6mmRds(ON)10V：1.6mΩRds(ON)4.5V：2.3mΩCiss(pF)：3499VGS(th)：2.35mΩCoss(pF)
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2019-08-05 |
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SP8608 Samhop代理SP8E2A SC8252B SC8230
品牌：Samhop型号：SC8230类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：CHIP/小型片状材质：N-FET硅N沟道工作电压：20V工作电流：12A最大允许功耗：1.32W用途：锂电池外形尺寸：S mini 8mm加工定制：否Package Type：S mini 8Device：Dual-NRds(on)/m：9.5Ciss/pF：772Qg
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2019-07-27 |
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QN3109 3107 UBIQ代理商QM3003M3 QM3052M6
品牌：UBIQ型号：QN3109M6N类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：CHIP/小型片状材质：N-FET硅N沟道工作电压：30V工作电流：154A最大允许功耗：0.1W用途：电子烟等外形尺寸：5x6mm加工定制：否Rds(ON)10V：1.5毫欧Vds：20Ciss：3006应用：电子烟 PC 电调VGS：30VQM0
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2019-07-21 |
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STL105N ST代理商STL160替代AON6512 TPH1R403NL
品牌：ST/意法型号：STL105N类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：CHIP/小型片状材质：N-FET硅N沟道工作电压：30VV工作电流：150AA最大允许功耗：0.1W用途：电子烟外形尺寸：5X6mm加工定制：是RDS(ON) (at VGS=10V)：2.1毫欧RDS(ON) (at VGS = 4.5V)：3.1毫欧VDS：
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2019-07-16 |
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QN3109M6 3107 UBIQ代理QM3006D QM3094M6
品牌：UBIQ型号：QN3109M6N类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：CHIP/小型片状材质：N-FET硅N沟道工作电压：30V工作电流：154A最大允许功耗：0.1W用途：电子烟等外形尺寸：5x6mm加工定制：否Rds(ON)10V：1.5毫欧Vds：20Ciss：3006应用：电子烟 PC 电调VGS：30VQM0
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2019-07-10 |
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VINA TECH超级电容总代理VEC 2R7 506 QG
品牌：VINA型号：VEC 2R7 105 QG类型：超级电容引线方式：其他调节方式：其他外形：圆柱形功率特性：大频率特性：高频材质：超级电容标称电容量：1nF允许误差：1%额定电压：2.7V绝缘电阻：1Ω电容量温度系数：100损耗角正切：1%耐压值：2.7等效串联电阻：1工作电压(V)：2.7容量(F)：1内阻（mΩ）：90尺寸：8Φ*13HCurrent（
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2019-07-05 |
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