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TPH1R712MD Toshiba代理TPH1R403NL替代CEZ3R01
品牌：TOSHIBA/东芝型号：TPH1R403NL类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：CHIP/小型片状材质：N-FET硅N沟道工作电压：30V工作电流：100A最大允许功耗：0.1W用途：电子烟外形尺寸：5x6mm加工定制：否Rds(ON)10V：1.4mΩRds(ON)5V：2.1mΩVDS：30VVGS：±20 VCiss：
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2019-06-12 |
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AON6512完美替代STL160NS3LLH7 AOS代理AON6908A
品牌：AOS/美国万代型号：AON6908A类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：CHIP/小型片状材质：N-FET硅N沟道工作电压：30VV工作电流：150A最大允许功耗：0.1W用途：电子烟、电调外形尺寸：5x6mmRDS(ON) (at VGS=10V)：1.7mΩRDS(ON) (at VGS = 4.5V)：2.4mΩVDS：30V
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2019-06-10 |
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VINA TECH超级电容总代理VEC 2R7 505 QA
品牌：VINA型号：VEC 2R7 105 QG类型：超级电容引线方式：其他调节方式：其他外形：圆柱形功率特性：大频率特性：高频材质：超级电容标称电容量：1nF允许误差：1%额定电压：2.7V绝缘电阻：1Ω电容量温度系数：100损耗角正切：1%耐压值：2.7等效串联电阻：1工作电压(V)：2.7容量(F)：1内阻（mΩ）：90尺寸：8Φ*13HCurrent（
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2019-06-05 |
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AOS代理AON6512 AON6504 AON3814AON6973A
品牌：AOS/美国万代型号：AON28034类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：CHIP/小型片状材质：N-FET硅N沟道工作电压：30VV工作电流：150A最大允许功耗：0.1W用途：电子烟、电调外形尺寸：5x6mmRDS(ON) (at VGS=10V)：1.7mΩRDS(ON) (at VGS = 4.5V)：2.4mΩVDS：30V
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2019-06-05 |
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VINA TECH超级电容总代理VEC 2R7 505 QG
品牌：VINA型号：VEC 2R7 105 QG类型：超级电容引线方式：其他调节方式：其他外形：圆柱形功率特性：大频率特性：高频材质：超级电容标称电容量：1nF允许误差：1%额定电压：2.7V绝缘电阻：1Ω电容量温度系数：100损耗角正切：1%耐压值：2.7等效串联电阻：1工作电压(V)：2.7容量(F)：1内阻（mΩ）：90尺寸：8Φ*13HCurrent（
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2019-06-02 |
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AON6240 AOS代理AON6512完美替代TPH1R403NL
品牌：AOS/美国万代型号：AON6240类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：CHIP/小型片状材质：N-FET硅N沟道工作电压：30VV工作电流：150A最大允许功耗：0.1W用途：电子烟、电调外形尺寸：5x6mmRDS(ON) (at VGS=10V)：1.7mΩRDS(ON) (at VGS = 4.5V)：2.4mΩVDS：30VG
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2019-06-02 |
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AOS一级代理AON6242AON6566AON6414AAON6946
品牌：AOS/美国万代型号：AON6512类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：CHIP/小型片状材质：N-FET硅N沟道工作电压：30VV工作电流：150A最大允许功耗：0.1W用途：电子烟、电调外形尺寸：5x6mmRDS(ON) (at VGS=10V)：1.7mΩRDS(ON) (at VGS = 4.5V)：2.4mΩVDS：30VG
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2019-05-30 |
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AOS代理AO4306AOD536AON6794 AO4832
品牌：AOS/美国万代型号：AON6512类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：CHIP/小型片状材质：N-FET硅N沟道工作电压：30VV工作电流：150A最大允许功耗：0.1W用途：电子烟、电调外形尺寸：5x6mmRDS(ON) (at VGS=10V)：1.7mΩRDS(ON) (at VGS = 4.5V)：2.4mΩVDS：30VG
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2019-05-22 |
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