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TPH1R403 Toshiba代理 完美替代DMT3002LPS现货优势供应
品牌：TOSHIBA/东芝型号：TPH1R403NL类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：CHIP/小型片状材质：N-FET硅N沟道工作电压：30V工作电流：80A最大允许功耗：1W用途：电子烟 PC外形尺寸：5x6mm加工定制：否Rds(ON)10V：1.4mΩRds(ON)5V：2.1mΩVDS：30VVGS：±20 VCiss：
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2019-05-21 |
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ST代理STL90N3LLH6 STL160NS3LLH7替代AON6512
品牌：ST/意法型号：STL220N3LLH7类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：CHIP/小型片状材质：N-FET硅N沟道工作电压：30VV工作电流：150A最大允许功耗：0.1W用途：电子烟外形尺寸：5X6mm加工定制：否Rds(ON)10V：2.1Rds(ON)4.5V：3CISS：3245COSS：970CRSS：52价格以
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2019-05-16 |
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AON6512完美替代TPH1R403NL AOS代理AON6554
品牌：AOS/美国万代型号：AON6554类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：CHIP/小型片状材质：N-FET硅N沟道工作电压：30VV工作电流：150A最大允许功耗：0.1W用途：电子烟、电调外形尺寸：5x6mmRDS(ON) (at VGS=10V)：1.7mΩRDS(ON) (at VGS = 4.5V)：2.4mΩVDS：30VG
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2019-05-16 |
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AON6284A AOS一级代理AON6512 AON7520 AON6411
品牌：AOS/美国万代型号：AON6284A类型：其他沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：CHIP/小型片状材质：N-FET硅N沟道工作电压：30VV工作电流：150A最大允许功耗：0.1W用途：电子烟、电调外形尺寸：5x6mmRDS(ON) (at VGS=10V)：1.7mΩRDS(ON) (at VGS = 4.5V)：2.4mΩVDS：30VGS：±20Ciss：3430AOS部
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2019-05-16 |
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VINA TECH超级电容总代理VEC 2R7 106 QG
品牌：VINA型号：VEC 2R7 105 QG类型：超级电容引线方式：其他调节方式：其他外形：圆柱形功率特性：大频率特性：高频材质：超级电容标称电容量：1nF允许误差：1%额定电压：2.7V绝缘电阻：1Ω电容量温度系数：100损耗角正切：1%耐压值：2.7等效串联电阻：1工作电压(V)：2.7容量(F)：1内阻（mΩ）：90尺寸：8Φ*13HCurrent（
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2019-05-04 |
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AOS一级代理AON6266EAON6667AON6448AON6994
品牌：AOS/美国万代型号：AON6512类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：CHIP/小型片状材质：N-FET硅N沟道工作电压：30VV工作电流：150A最大允许功耗：0.1W用途：电子烟、电调外形尺寸：5x6mmRDS(ON) (at VGS=10V)：1.7mΩRDS(ON) (at VGS = 4.5V)：2.4mΩVDS：30VG
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2019-05-04 |
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VINA TECH超级电容总代理VEC 2R7 156 QG
品牌：VINA型号：VEC 2R7 105 QG类型：超级电容引线方式：其他调节方式：其他外形：圆柱形功率特性：大频率特性：高频材质：超级电容标称电容量：1nF允许误差：1%额定电压：2.7V绝缘电阻：1Ω电容量温度系数：100损耗角正切：1%耐压值：2.7等效串联电阻：1工作电压(V)：2.7容量(F)：1内阻（mΩ）：90尺寸：8Φ*13HCurrent（
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2019-04-28 |
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SP8E2A Samhop代理 P8608 SC8252B STS8816
品牌：Samhop型号：STS8816类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：CHIP/小型片状材质：N-FET硅N沟道工作电压：20V工作电流：12A最大允许功耗：1.32W用途：锂电池外形尺寸：S mini 8mm加工定制：否Package Type：S mini 8Device：Dual-NRds(on)/m：9.5Ciss/pF：772Qg
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2019-04-28 |
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